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Cu復(fu)合粉(fen)體(ti)金相(xiang)顯(xian)微圖(tu),亮白色的(de)為碳化(hua)硅顆(ke)粒(li),顆(ke)粒(li)周圍的(de)暗(an)灰(hui)色層(ceng)為包覆的(de)銅層(ceng),從圖(tu)3.8和(he)圖(tu)3.9可以看出:140目粉(fen)末鍍覆質量(liang)相(xiang)對(dui)較高,墨綠色的(de)SiC顆(ke)粒(li)上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對碳化(hua)硅(gui)表面(mian)進行(xing)化(hua)學(xue)鍍(du)鎳,研究了(le)鍍(du)液(ye)的(de)pH值對鍍(du)速、鍍(du)層(ceng)組織及形貌9丁莉莉;化(hua)學(xue)鍍(du)法制備(bei)Cu-Si復合(he)粉體工(gong)藝研究[D];中(zhong)國海洋大學(xue);2009年10。

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2008年10月22日-納米碳化硅(gui)粉體2009-10-2210:47性能特點本產品純度高、粒徑(jing)小、分布均勻,比表面積大、高表面活性,松裝密度低(di),具有極(ji)好的力學、熱學、電學和。

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2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

五金(jin)、工具磨料(liao)供應碳(tan)化硅微粉(fen)國標(biao)[詳細內容]1.工程陶瓷用微粉(fen):1)噴嘴等(deng)高溫窯具微粉(fen)反應燒結粉(fen):F240,F1200,W10,W14,W282)方(fang)梁(liang)等(deng)重結晶用粉(fen):RR100。

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納米碳(tan)(tan)化(hua)硅,超(chao)細碳(tan)(tan)化(hua)硅粉通過特殊工(gong)藝(yi)方法制備,具有純度高(gao),粒徑分布(bu)范(fan)圍小,高(gao)比表面積;納米碳(tan)(tan)化(hua)硅具有化(hua)學(xue)性能穩(wen)定,導熱系數高(gao)(165W/M.K),熱膨(peng)脹系數小,硬度高(gao),。

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[摘要]本發明涉及一種以(yi)酵(jiao)母粉為(wei)造孔劑的碳化硅基(ji)體之基(ji)底(di)的機械產品,其(qi)外表面(mian)還(huan)具有一氧化鋁覆層。從而獲(huo)得(de)高體積分數的SiCp/Cu復合材料。本發明能夠。

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10.亢景付,張振利(li),韓春翠.等強(qiang)條件(jian)下橡膠粉對(dui)碾壓(ya)混凝土強(qiang)度(du)與(yu)變形性(xing)能的(de)34.劉桂香,黃向東,鄭(zheng)振環,李強(qiang).熱壓(ya)燒結一步法(fa)制備(bei)Cf/Cu復合材料(liao)的(de)組織。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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1、包(bao)覆(fu)鋇鐵氧體薄膜的碳化硅電磁吸波材料及(ji)其制備8、Cu包(bao)裹SiC復合粉體工藝的研究(jiu)9、Cu顆粒(li)包(bao)覆(fu)79、粉體的表面修飾與表面包(bao)覆(fu)方法(fa)的研究(jiu)80、覆(fu)。

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摘要:對碳化硅(gui)表面進行化學鍍(du)鎳(nie),研究了鍍(du)液的pH值對鍍(du)速(su)、鍍(du)層組(zu)織及(ji)形貌(mao)的影響。結果表明:鍍(du)液pH值低于8.5時,無反應發生,粉。

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為改(gai)善SiC與金屬的結合性,分別采用化學鍍法(fa)和非均相沉淀(dian)法(fa)制(zhi)備Cu包(bao)裹SiC顆(ke)粒復合粉體。通(tong)過XRD衍射分析得出以(yi)上兩種包(bao)裹方法(fa)都可以(yi)得到大部分包(bao)裹著Cu相的SiC顆(ke)粒,。

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控制(zhi)的一些主(zhu)要(yao)方(fang)法,綜述了目前幾種主(zhu)要(yao)金(jin)屬粉末(mo)(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)(na)米(mi)碳(tan)化(hua)硅粉末(mo)納(na)(na)米(mi)金(jin)屬顆粒納(na)(na)米(mi)金(jin)剛石粉納(na)(na)米(mi)細粉納(na)(na)米(mi)鐵粉納(na)(na)米(mi)銅粉納(na)(na)米(mi)級。

超細碳化硅粉體調研報告_2011-2016年超細碳化硅粉體行業項目調研

分析時間從24小時減到(dao)30min,但對(dui)Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方(fang)法的1姚(yao)永生;;電感(gan)耦(ou)合等離子體(ti)原(yuan)子發(fa)射光(guang)譜法測定(ding)碳(tan)化硅中雜質元素[J];冶金(jin)分析。

納米金屬粉末-學術百科-知網空間

3用(yong)天然高(gao)嶺土制備(bei)碳(tan)化(hua)硅晶須(xu)/氧化(hua)鋁(lv)復合陶瓷粉的(de)(de)g161200580024384.X覆銅、抑(yi)制晶須(xu)生成(cheng)的(de)(de)方法、212200780014522.5晶須(xu)得到(dao)抑(yi)制的(de)(de)Cu-Zn合金耐(nai)熱。

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746-BG28813一(yi)種氮化(hua)硅/碳化(hua)硅多孔陶瓷的制(zhi)備(bei)方(fang)法(fa)747-BG28813激光熔覆制(zhi)備(bei)801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復合(he)功能陶瓷材(cai)料(liao)的制(zhi)備(bei)方(fang)法(fa)802-BG28813一(yi)種。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

50、銅(tong)包(bao)裹納(na)米(mi)碳(tan)化硅顆粒制備納(na)米(mi)復(fu)合粉體顆粒的(de)方法(fa)(fa)8、Cu包(bao)裹SiC復(fu)合粉體工藝的(de)研究9、Cu顆粒包(bao)覆納(na)米(mi)79、粉體的(de)表(biao)面修(xiu)飾(shi)與表(biao)面包(bao)覆方法(fa)(fa)的(de)研究80、覆Co。

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