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碳化矽-維基百科,自由的百科全書

碳(tan)(tan)化(hua)(hua)矽(xi)(xi)(SiC)俗稱金剛砂,為矽(xi)(xi)與碳(tan)(tan)相鍵結而(er)成的(de)陶瓷狀化(hua)(hua)合物,碳(tan)(tan)化(hua)(hua)矽(xi)(xi)在(zai)大自(zi)然以莫桑石這(zhe)種稀罕的(de)礦物的(de)形(xing)式存在(zai)。自(zi)1893年起碳(tan)(tan)化(hua)(hua)矽(xi)(xi)粉末(mo)被大量用作磨料(liao)。將(jiang)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)矽(xi)(xi)。

PDF添加鋁矽酸鹽礦物於多微孔性

以氮(dan)化(hua)鎵(GaN)和(he)碳化(hua)矽(Sic)為(wei)代(dai)表的第三代(dai)半導體材料(liao),具(ju)有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率(lv)大、電子飽和(he)漂移(yi)速度高、介電常(chang)數小(xiao)、抗輻射(she)能力(li)強、化(hua)學穩(wen)定(ding)性好(hao)。

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利(li)用碳(tan)(tan)化矽滲(shen)碳(tan)(tan)和(he)氰化,蓋培;-機床(chuang)與工具1954年第01期在(zai)線閱讀(du)、文章下載。<正;碳(tan)(tan)化矽的滲(shen)碳(tan)(tan)和(he)氧化是(shi)蘇聯發明(ming)的熱處理(li)方(fang)法。碳(tan)(tan)化矽滲(shen)碳(tan)(tan)碳(tan)(tan)化的滲(shen)碳(tan)(tan)的原理(li)是(shi)。

利用碳化矽滲碳和氰化-《機床與工具》1954年01期-中國知網

俗(su)稱金剛砂的(de)碳(tan)化(hua)矽(SiC),為矽與(yu)碳(tan)結(jie)合而成的(de)陶瓷狀化(hua)合物,由(you)於天然(ran)含量甚少,碳(tan)化(hua)矽主要多為人(ren)造;常見的(de)方法(fa)是將石英砂與(yu)焦炭混合,并加入(ru)食鹽和木屑(xie),置入(ru)電爐(lu)中(zhong),。

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SiC碳(tan)化矽功(gong)(gong)(gong)率(lv)模(mo)組(zu)全(quan)(quan)(quan)球(qiu)個全(quan)(quan)(quan)碳(tan)化矽功(gong)(gong)(gong)率(lv)模(mo)組(zu)SiC碳(tan)化矽MOSFET與蕭(xiao)特基二極體組(zu)合成全(quan)(quan)(quan)SiC碳(tan)化矽功(gong)(gong)(gong)率(lv)模(mo)組(zu)。全(quan)(quan)(quan)新原創電場減緩結構,加上新的篩選方(fang)法(fa),成功(gong)(gong)(gong)。

碳化矽

當(dang)溫度到達600℃時,碳化矽須即(ji)失其強度;但(dan)新的(de)SiC纖維則(ze)可(ke)毫不被破壞(huai)地(di)(di)在載重下長期地(di)(di)忍受(shou)1200℃的(de)火(huo)焰。雖然現在還沒有關於(wu)制造新纖維的(de)經(jing)濟資料,但(dan)看來將之。

SiC-SBD

陶瓷(ci)(ci)散(san)熱(re)片系利用碳化(hua)矽Sic之(zhi)高導熱(re)性(xing)的特性(xing)再配合(he)上開(kai)放性(xing)多孔隙之(zhi)陶瓷(ci)(ci)燒(shao)結(jie)技術,制造一(yi)導熱(re)散(san)性(xing)能佳,體積輕(qing)薄之(zhi)陶瓷(ci)(ci)散(san)熱(re)片,在現今高科技電子材料不斷(duan)追求(qiu)微小化(hua)與(yu)。

神奇的碳化矽纖維

各種不同碳化(hua)矽(SiC)的用途簡介1).RSiC再結晶碳化(hua)矽適用於溫度到(dao)1600℃.運用鑄造法可(ke)制成支架,滾筒,橫梁,卡式盒,坩(gan)堝(guo),厚(hou)板,熱交(jiao)換器。

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煉(lian)得的碳化(hua)矽塊,經破碎、酸堿(jian)洗(xi)、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品(pin)。碳化(hua)矽有黑(hei)碳化(hua)矽和綠碳化(hua)矽兩個(ge)常用的基該(gai)品(pin)種,都屬α-SiC。黑(hei)碳化(hua)矽含SiC約(yue)95%。

各種不同碳化矽(SiC)的用途簡介

碳化(hua)矽(xi)基板,SiCwafer,SiliconCarbideSubstrate石(shi)墨烯(xi)磊晶epitaxialgrapheneonsiliconcarbidesubstrate2"3"4"Opto-andElectronics-Applicationsfor。

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[圖(tu)文(wen)]根(gen)據(ju)法國Yole研(yan)究機構預估2003年全球碳化(hua)矽(SiC)半(ban)導體晶圓約生產25萬(wan)片,2007年將(jiang)可達(da)80萬(wan)片,年復合成長率為(wei)34%。個電子(zi)碳化(hua)矽零組件(jian)Schottky二極體與。

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碳(tan)化(hua)矽(xi)(SiC)俗稱金剛砂,為矽(xi)與(yu)碳(tan)相(xiang)鍵結而成的陶瓷狀化(hua)合物,碳(tan)化(hua)矽(xi)在大(da)自然經常用于顎式破(po)(po)碎機顎板、大(da)型挖掘機斗齒、圓錐式破(po)(po)碎機破(po)(po)碎壁(bi)(bi)、砸臼壁(bi)(bi)。

市場報導:2007年碳化矽(SiC)晶圓將可達80萬片

2012年2月3日-碳化矽(SiC)功率(lv)器件的市場者科(ke)銳(rui)公司(Nasdaq:CREE)日前宣布推出全新系列(lie)封裝型(xing)二(er)極管。在現有碳化矽肖特(te)基二(er)極管技術條件下,該系列(lie)二(er)極管可提(ti)供。

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2012年(nian)6月(yue)11日-碳化(hua)矽(SiC)半(ban)導體/電子設備,與傳統的(de)矽為基礎的(de)半(ban)導體/電子設備相比在技術(shu)方面非常出色,以(yi)有力的(de)領(ling)域崛起(qi)。本報告以(yi)全(quan)球SiC半(ban)導體市(shi)場(chang)。

科銳推出封裝型1700V碳化矽肖特基二極管_中國LED在線

關鍵詞(Keywords)含有"氧(yang)化(hua)鋁氧(yang)化(hua)鋁基板、碳化(hua)矽、sic"權(quan)(quan)重4以(yi)上權(quan)(quan)重4以(yi)下百(bai)度收錄量關鍵詞指數競爭共(gong)找(zhao)到(dao)1個(ge)站(zhan)點01-冷門。

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GTAdvancedTechnologies推出(chu)新型SiClone100碳化矽(xi)(SiC)生(sheng)產爐。SiClone100采(cai)用升(sheng)華生(sheng)長(chang)技術(shu),能生(sheng)產出(chu)高品質的半導體(ti)SiC晶體(ti)塊,可終制成直(zhi)徑為(wei)100毫(hao)米。

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1.碳(tan)(tan)化矽(xi):SiliconCarbideSiCNi-SiCsinteredsiliconcarbide2.碳(tan)(tan)漬碳(tan)(tan)化矽(xi):impregnated-carbonsiliconcarbide3.碳(tan)(tan)化矽(xi)晶絲:silicon。

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分類(lei)清單CMSiCTaissicsinteredsiliconcarbidefineceramicsadvancedceramics碳(tan)化(hua)(hua)矽氧(yang)化(hua)(hua)鋁CMSiCTaissicsinteredsiliconcarbide。

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2011年4月22日(ri)-飛(fei)兆(zhao)(zhao)半導(dao)體(ti)(ti)(FaIRchildSemicONductor)宣布收購碳化矽(SiliconCarbide,SiC)功(gong)率電晶(jing)體(ti)(ti)供應(ying)商TranSiC,該(gai)公司表(biao)示,這項(xiang)收購為(wei)飛(fei)兆(zhao)(zhao)半導(dao)體(ti)(ti)帶來具有充分驗證(zheng)之。

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碳化(hua)矽杰利噴砂(sha)耗材(cai)有限公司(0769-87772533)所經銷的(de)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)有黑碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)和綠碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)兩個(ge)常用的(de)基本品種,都(dou)屬α-SiC。①黑碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)含SiC約98.5%,其韌性(xing)高于綠碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui),。

飛兆收購碳化矽功率電晶體供應商TranSiC-行業新聞

實驗中(zhong)以不同含量(liang)的奈米級碳化矽(xi)粉末(50nm)分散(san)(san)(san)於氮化矽(xi)基材(cai)中(zhong),利用適當的溶(rong)劑(ji)與分散(san)(san)(san)劑(ji)及配合行(xing)星式高能量(liang)球(qiu)磨機,有(you)效分散(san)(san)(san)碳化矽(xi)於基地中(zhong);并利用熱壓(ya)燒結制備(bei)SiC。

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2013年9月23日-(社2013年9月23日電)根(gen)據美國(guo)商業資訊報導,東芝公司(ToshibaCorporation)(TOKYO:6502)宣布將擴充其650V碳化矽(SiC)肖特基勢(shi)壘二極體(SBD)系列。

碳化矽-[其他,其他]-全球塑膠網

綠色碳化矽產品(pin)代碼GC色澤Green硬度9.3熔點2200℃化學成份SiliconCarbide(SiC)99.20%FreeCarbon(F.C)0.10%FreeSilicon(Si)0.。

奈米碳化矽/氮化矽復合陶瓷之制備微結構及機械性質之研究

[圖(tu)文]在半導(dao)體(ti)領域(yu)常用的(de)是(shi)4H-SiC和6H-SiC兩(liang)種,碳(tan)化矽與(yu)其(qi)他半導(dao)體(ti)材料(liao)具有相(xiang)似的(de)特性,4H-SiC的(de)飽和電子速度(du)是(shi)Si的(de)兩(liang)倍,從而為SiC元件提(ti)供了較(jiao)高的(de)電流密度(du)和較(jiao)高。

東芝擴充碳化矽肖特基勢壘二極體系列|yam蕃薯藤財金

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2013年8月9日-科銳公(gong)司(si)(Cree)宣布新擴展的1,200V碳(tan)化矽(SiC)功率MOSFET產品組合,將被納入DeltaElektronikaBV公(gong)司(si)進的電(dian)源供應器中。DeltaElektronika。

SiC的產業應用

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11NovelSiO2andAl2O3High-KGateDielectricson4H-SiCMOSCapacitors碳化矽金氧(yang)半電容元件上新穎氧(yang)化矽與氧(yang)化鋁高介碳化矽金氧(yang)半電容元件。

科銳SiC功率MOSFET協助Delta開發電源供應器_電子芯片_元器件交易網

成份(fen)表SIC(97%以上)莫(mo)式硬度:9.15比重:3.22顏色(se):黑色(se)包裝:25kg/鋼珠(zhu)、金鋼砂(sha)、碳化矽、玻璃珠(zhu)、氧(yang)化鋁(lv)、各式研(yan)磨(mo)(mo)材(cai)碳化硼噴嘴、耐磨(mo)(mo)零件。

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2013年8月(yue)19日-產品(pin)列表檢測設備碳化(hua)矽綠(lv)碳化(hua)硅微(wei)粉給我(wo)留言738352480(BlackSiC,GreenSiC)MarketforAutomotive,Aerospace,Military,。

進口碳化矽磨料-中國供應商

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供應綠碳化硅微粉GCW20/JIS800/P1000(上市公司出口SIC產品)綠

[圖文]碳化矽/SiC除(chu)了(le)Al2O3基(ji)(ji)板外,目前(qian)用于(yu)氮化鎵生長的基(ji)(ji)板是SiC,它在市場上的占有(you)率位居,它有(you)許(xu)多突(tu)出的優點,如化學穩定性(xing)(xing)好、導電性(xing)(xing)能好、導熱(re)性(xing)(xing)能好、不。

全球碳化矽市場到2018年將達38.2億美元

2011年4月27日-繼科銳(Cree)于今年1月中發表業(ye)界商用碳化(hua)矽(SiC)功(gong)率金屬氧化(hua)物半導體場效電晶體(PowerMOSFET)后,快捷(Fairchild)日前也宣布(bu)收購TranSiC,正式。

湖北金剛砂13810134390環保項目合作-中國供應商

藍寶石碳化矽兩強相爭勝負未定,矽基板GaN基板可能會異軍突起

商用進展邁大步SiC功率半導體前景看俏-免費IC網-免費電子元