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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日-這一項目(mu)采用碳化(hua)硅單結晶加工物做(zuo)為粉碎(sui)介(jie)質、應(ying)用水(shui)流粉碎(sui)機、粉碎(sui)工程內分級和(he)酸堿洗(xi)凈(jing)技術,開發(fa)出了(le)純(chun)度高、雜(za)質含量低的超(chao)細碳化(hua)硅微粒(li),并打入了(le)。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

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碳化硅-搜搜百科

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-豆丁網

但是由于普通RBSC陶瓷的原料雜質含(han)量高、粒徑分(fen)(fen)布寬及(ji)成型工(gong)藝和燒(shao)結工(gong)藝的多樣化超細碳化硅微(wei)粉的制備及(ji)反應燒(shao)結碳化硅性(xing)能的研究文(wen)檔分(fen)(fen)類論文(wen)-。

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含量:99.9產(chan)品(pin)規格:1000nm產(chan)品(pin)包裝:1kg/包且(qie)不會(hui)帶(dai)入(ru)雜質(zhi),是金剛(gang)石磨(mo)料的理(li)想(xiang)替代品(pin);5、;;納米碳化(hua)硅(gui),超(chao)細碳化(hua)硅(gui),碳化(hua)硅(gui)相關供應(ying)商(shang)。

碳化硅_百度百科

本發明涉(she)及一種(zhong)應用X射(she)線熒光光譜法檢測碳化硅(gui)雜質含(han)量(liang)的方法,其步驟如(ru)下:1、制(zhi)備測試樣片;2、制(zhi)備標準樣片:①提純碳化硅(gui)的制(zhi)樣;②碳化硅(gui)提純,制(zhi)備出純品碳化硅(gui);③。

超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-碩士論文-

反應燒結(jie)超細SiC原位凝固/干壓成型碳(tan)密度顯微結(jie)構力(li)學(xue)性能(neng)但是由于普通RBSC陶瓷(ci)的(de)原料雜質含(han)量高、粒(li)徑分(fen)布(bu)1尹(yin)長霞;超細碳(tan)化硅微粉的(de)制備及(ji)反應燒結(jie)碳(tan)化硅。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

納米碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)供應信息<0.9%游離硅(gui)(gui):<0.2%金屬(shu)雜質含量:400ppmD50:50-60nm比表(biao)面積:碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),納米碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),微米碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),超細碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),納米碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),微米碳化(hua)(hua)(hua)。

超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-《武漢理工

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張波—碳化硅_百度文庫

(編號(hao):WND1109723-0059-0005)一種高純超(chao)細碳化(hua)硅*粉回收(shou)提純分(fen)級技術[技術摘要(編號(hao):WND1109723-0068-0007)應用X射線熒光光譜法檢測碳化(hua)硅雜質含量的方法(。

納米碳化硅_中鋁網

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線碳化硅工藝制作技術專題-聚乙二醇和碳化硅-線催化劑-碳化硅碳-

2011年6月13日-提(ti)高(gao)產品(pin)質(zhi)量(liang),減(jian)少碳化硅產品(pin)中的雜質(zhi)成(cheng)份(fen)含量(liang)。提(ti)高(gao)碳化硅產品(pin)的純度、的晶體在破(po)碎時,因強度低(di),韌性差(cha),受外力作用首先被粉(fen)碎成(cheng)粉(fen)狀(zhuang)顆(ke)粒或超細。

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2013年4月3日-有的工廠采用低檔原料如鐵(tie)質(zhi)砂(sha)、沉淀池和收(shou)(shou)塵裝置(zhi)收(shou)(shou)集(ji)的碳化硅細粉來制造微粉,這也是可行的方(fang)法,且可以降低制造成本。但這些原料雜質(zhi)含(han)量多(duo),因而必須(xu)。

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某常壓燒結陶瓷級碳化硅微粉要求(qiu)原(yuan)料(liao)平均粒度D50〈0.8μm,對原(yuan)料(liao)中雜質(zhi)鐵、碳、硅的含量要求(qiu)較嚴格,通(tong)過選礦(kuang)和(he)化學(xue)處理(li)方法可使其雜質(zhi)含量達到標準需求(qiu),超細磨前(qian)。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結晶碳(tan)化(hua)硅制品專用(yong)碳(tan)化(hua)硅粒(li)度砂生(sheng)產(chan)方法(fa)7、碳(tan)化(hua)硅超(chao)細微粉(fen)及其生(sheng)產(chan)方法(fa)8、亞(ya)47、應用(yong)X射線熒光光譜法(fa)檢測(ce)碳(tan)化(hua)硅雜質含量的方法(fa)48、連續碳(tan)化(hua)硅纖維制造(zao)用(yong)油劑(ji)。

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陶瓷級碳化硅微粉提純試驗研究-維普網-倉儲式在線作品出版

無法滿(man)足(zu)這(zhe)(zhe)樣的(de)需要(yao),針對有需要(yao)有很廣(guang)大的(de)市(shi)場(chang)這(zhe)(zhe)個需求(qiu),我們的(de)張(zhang)總經理(li)帶領科技人才的(de)不斷(duan)的(de)創新和實(shi)踐(jian)中,克服了(le)(le)重重的(de)困難,終研制出了(le)(le)一(yi)種新型碳化(hua)硅超細微粉。

碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日-841CN200810050205.5一種高(gao)純(chun)超細碳化硅微粉回收提(ti)純(chun)分級技術842CN990CN200910228151.1應用X射線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測碳化硅雜質含量的方(fang)法(fa)991CN。

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結果表明(ming),納米碳化硅粒子能(neng)在(zai)很低的含量下提高(gao)環氧樹(shu)脂耐磨性(xing)、并降低其摩擦(ca)系數336.劉玲,黃爭(zheng)鳴,周燁(ye)欣,徐貴營.超細(xi)纖維增(zeng)強復(fu)合材料Ⅰ型層間斷(duan)裂韌性(xing)。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱(re)分解溫度降低(di)在宏觀上可能是由于雜質在本體溶液中的(de)依數性熱(re)力(li)學效應(ying)所導致。通過掃描電鏡分析發現,當納米碳(tan)化硅SiC含(han)量為1%時(shi),晶胞尺寸(cun)增大到(dao)了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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合(he)成碳化硅產(chan)品的提(ti)純(chun)方面的信息,提(ti)純(chun)方法與提(ti)純(chun)結果(guo)等,特別是對其中雜(za)質鐵的去除合(he)成的超細粉β—SiC含量為88.07%(SiO_2轉化率為97.44%).期間(jian)分析(xi)了煤矸石。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金剛砂(金剛沙(sha))純(chun)碳(tan)化(hua)硅(gui)是無色透明的(de)晶體。工業碳(tan)化(hua)硅(gui)因(yin)所(suo)含(han)雜質的(de)種類和(he)含(han)量不同,而呈淺黃、綠、藍(lan)乃06-19批發零(ling)售碳(tan)化(hua)硅(gui)粉(價格(ge)優惠)碳(tan)化(hua)硅(gui)粉黑碳(tan)化(hua)硅(gui)。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年12月(yue)28日-碳化(hua)硅冶煉(lian)時(shi)的(de)分解(jie)過程(cheng),實(shi)質上是產品(pin)(pin)的(de)凈化(hua)過程(cheng)。分解(jie)過程(cheng)次數越多,產品(pin)(pin)凈化(hua)程(cheng)度充分,凈化(hua)程(cheng)度越徹(che)底,終(zhong)的(de)產品(pin)(pin)越純凈,產品(pin)(pin)中雜質含量越少,其(qi)韌性。

碳化硅的純度問題

其中,雜(za)質(zhi)(zhi)少的(de)呈綠(lv)色,雜(za)質(zhi)(zhi)多(duo)的(de)呈黑色。2、化(hua)(hua)在(zai)高溫(wen)下發生反應,由(you)此制備納米級的(de)β-碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅超細(xi)粉氧(yang)含(han)量高低,通常C的(de)添加(jia)量與碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅粉料中的(de)氧(yang)含(han)量。

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如碲化(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等。與金(jin)屬材(cai)料不同,半(ban)導體(ti)中雜質含量和外界條件的改(gai)變(如溫度變化(hua)、受光照射等),都會使半(ban)導體(ti)的。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純碳(tan)化(hua)硅(gui)是(shi)無色透(tou)明的晶體。工業碳(tan)化(hua)硅(gui)因所含雜質的種類(lei)和含量不同(tong),而呈淺黃、綠(lv)、藍(lan)乃黑色,透(tou)明度隨其(qi)純度不同(tong)而異。碳(tan)化(hua)硅(gui)晶體結構分為六方或菱(ling)面體的α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一(yi)種碳化硅納米纖維的(de)(de)制備方(fang)法,它涉及一(yi)種陶瓷(ci)纖維的(de)(de)制備工藝。為(wei)了解決現有方(fang)法纖維的(de)(de)雜(za)質含量極低,纖維的(de)(de)直徑在(zai)(zai)20~200nm之(zhi)間,長(chang)度在(zai)(zai)幾個毫米之(zhi)間,表面光滑,。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年(nian)3月19日-1041CN200810050205.5一(yi)種高純超細碳化(hua)硅(gui)微粉回收提(ti)純分級(ji)技術1042CN1190CN200910228151.1應用X射線熒光光譜(pu)法檢測碳化(hua)硅(gui)雜質(zhi)含量的方法1191CN。

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碳化(hua)硅超細(xi)粉體的(de)制備和流態化(hua)處理導出添加到引(yin)用(yong)通知(zhi)分享到下(xia)載PDF閱讀雜質(zhi)相分布等有決定性的(de)影響,從而直接影響著與這些微結(jie)結(jie)構密切相關的(de)材料力學。

一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊凱華碳化硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉生產各種型號碳化硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉,碳化硅(gui)(gui)(gui)超細微(wei)粉,純度高(gao)、粒型好、更穩(wen)定,用于反應(ying)燒(shao)結(jie)、五壓燒(shao)結(jie)、硅(gui)(gui)(gui)碳棒新(xin)工藝、研磨拋、光防腐、涂(tu)腐、尾(wei)氣處理(DPF)。

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產品(pin)碳化硅(gui)微粉磨(mo),超(chao)細粉碎機(ji),氣(qi)流(liu)分號機(ji),閃蒸干燥設(she)備,內分級超(chao)細磨(mo),礦渣超(chao)細磨(mo)防敏感材(cai)料,使設(she)備磨(mo)損(sun)小而(er)產品(pin)純度(總(zong)雜(za)質含量小于4ppm,含空氣(qi)帶入雜(za)質。

碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年(nian)5月26日-摘要:采用納米碳化硅(gui)(nm-SiC)對氰酸酯樹脂(CE下抽真空(kong)4h,除(chu)去吸附的(de)水(shui)分及小(xiao)分子雜質,密封納米SiC:粒(li)徑4060nm,灰(hui)綠色超細粉末(mo),合肥(fei)。

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