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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日-這一項(xiang)目采用碳化硅單結(jie)晶加工(gong)物做為粉(fen)(fen)碎(sui)介(jie)質、應用水流粉(fen)(fen)碎(sui)機、粉(fen)(fen)碎(sui)工(gong)程內(nei)分級(ji)和酸堿洗凈技術,開發出了(le)純度高、雜質含量低的超細碳化硅微粒,并打入了(le)。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

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碳化硅-搜搜百科

工(gong)業碳(tan)化(hua)硅因所(suo)含雜質(zhi)的種類和含量不(bu)同,而呈淺黃(huang)、綠、藍乃(nai)黑(hei)色,透明度隨其產品適用于制造碳(tan)化(hua)硅細(xi)(xi)粉和超(chao)細(xi)(xi)陶瓷級碳(tan)化(hua)硅粉料(liao)(liao)。Electro磨料(liao)(liao)公司Electro磨料(liao)(liao)。

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-豆丁網

但(dan)是由(you)于普(pu)通(tong)RBSC陶(tao)瓷的原料(liao)雜質含量高(gao)、粒徑分(fen)(fen)布寬及成(cheng)型工藝(yi)和燒結(jie)工藝(yi)的多樣化(hua)超細碳化(hua)硅微粉的制備(bei)及反應燒結(jie)碳化(hua)硅性能的研究文(wen)檔(dang)分(fen)(fen)類論文(wen)-。

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含量:99.9產(chan)品(pin)規格:1000nm產(chan)品(pin)包裝:1kg/包且不(bu)會帶入雜質,是金剛石磨(mo)料的理(li)想替代(dai)品(pin);5、;;納米碳化(hua)硅(gui),超細碳化(hua)硅(gui),碳化(hua)硅(gui)相關(guan)供應商(shang)。

碳化硅_百度百科

本(ben)發明涉及(ji)一種應用X射線熒光光譜法檢(jian)測(ce)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)雜(za)質含量的方法,其步驟如下:1、制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)測(ce)試樣片(pian);2、制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)標準樣片(pian):①提(ti)純碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)的制(zhi)(zhi)(zhi)樣;②碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)提(ti)純,制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)出(chu)純品碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui);③。

超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-碩士論文-

反(fan)應燒(shao)結超(chao)細SiC原位凝固/干壓(ya)成型碳密度顯微結構力學(xue)性能但是由于普通RBSC陶瓷的原料雜質含量高、粒徑分(fen)布1尹長霞;超(chao)細碳化(hua)硅(gui)微粉的制備及反(fan)應燒(shao)結碳化(hua)硅(gui)。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

納(na)(na)米(mi)(mi)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)供應信息(xi)<0.9%游離硅(gui)(gui)(gui)(gui):<0.2%金(jin)屬雜(za)質含(han)量:400ppmD50:50-60nm比表面積:碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui),納(na)(na)米(mi)(mi)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui),微米(mi)(mi)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui),超細碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui),納(na)(na)米(mi)(mi)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui),微米(mi)(mi)碳(tan)化(hua)。

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張波—碳化硅_百度文庫

(編(bian)號:WND1109723-0059-0005)一(yi)種(zhong)高純(chun)超細碳(tan)化硅(gui)*粉回收(shou)提純(chun)分(fen)級(ji)技(ji)術(shu)[技(ji)術(shu)摘要(yao)(編(bian)號:WND1109723-0068-0007)應用X射線熒光光譜法檢測碳(tan)化硅(gui)雜質含量的(de)方(fang)法(。

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納(na)米碳化硅查看原圖(點擊(ji)放(fang)大)價格:面(mian)議/電(dian)議對象(xiang)客戶(hu):陶瓷,金屬,高分子,金屬雜(za)質含量:400ppmD50:50-60nm比表面(mian)積(ji):21.94m2/g外觀:灰綠色粉末。

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線碳化硅工藝制作技術專題-聚乙二醇和碳化硅-線催化劑-碳化硅碳-

2011年6月13日(ri)-提(ti)高(gao)產品質量,減(jian)少碳(tan)化硅產品中的雜質成(cheng)份含(han)量。提(ti)高(gao)碳(tan)化硅產品的純度、的晶體在(zai)破(po)碎時,因強度低,韌性差(cha),受(shou)外力作用首先被粉碎成(cheng)粉狀顆粒或(huo)超細(xi)。

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2013年4月3日-有的(de)工廠采用(yong)低檔原料如鐵質砂、沉淀池和收塵裝置收集的(de)碳化硅細粉(fen)來制(zhi)造(zao)微粉(fen),這也(ye)是可行的(de)方法(fa),且可以(yi)降低制(zhi)造(zao)成(cheng)本。但這些原料雜質含(han)量多,因而必須。

供應立方碳化硅SIC耐磨陶瓷粉廣州市供應信息-中國五金商機網!

某常壓燒結陶瓷級碳(tan)化(hua)硅微(wei)粉要求(qiu)原料(liao)平(ping)均粒度D50〈0.8μm,對原料(liao)中雜質鐵、碳(tan)、硅的含量要求(qiu)較嚴格(ge),通過選礦和化(hua)學處理方法(fa)可使其雜質含量達到標準(zhun)需求(qiu),超細(xi)磨(mo)前(qian)。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結晶碳化硅制品專用碳化硅粒度(du)砂生(sheng)產方法(fa)7、碳化硅超細微粉及其生(sheng)產方法(fa)8、亞(ya)47、應(ying)用X射線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢(jian)測(ce)碳化硅雜(za)質(zhi)含量的方法(fa)48、連續碳化硅纖維制造用油劑。

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碳化(hua)(hua)硅(gui)二級碳化(hua)(hua)硅(gui)黑色(se)碳化(hua)(hua)硅(gui)浙江碳化(hua)(hua)硅(gui)碳化(hua)(hua)硅(gui)2000超細碳化(hua)(hua)硅(gui)品(pin)名:金屬(shu)硅(gui)牌號:Si441產地:云南硅(gui)含量≥:98.5雜質含量:。

陶瓷級碳化硅微粉提純試驗研究-維普網-倉儲式在線作品出版

無(wu)法(fa)滿足(zu)這樣的(de)需(xu)(xu)要,針對(dui)有需(xu)(xu)要有很廣大的(de)市場這個(ge)需(xu)(xu)求,我們(men)的(de)張總經理(li)帶領科技(ji)人才(cai)的(de)不(bu)斷的(de)創新和實踐中,克服了(le)重重的(de)困難,終(zhong)研制出(chu)了(le)一(yi)種新型碳化硅超細微(wei)粉。

碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日-841CN200810050205.5一種高純(chun)超細碳(tan)化(hua)硅微(wei)粉回收提(ti)純(chun)分級技術842CN990CN200910228151.1應用(yong)X射(she)線熒光光譜法檢測碳(tan)化(hua)硅雜質含量的方法991CN。

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結果表明,納(na)米碳化硅粒子(zi)能(neng)在很低的含量(liang)下(xia)提高環氧樹脂(zhi)耐磨性(xing)、并降低其摩擦(ca)系數336.劉玲,黃爭鳴,周燁欣,徐貴營.超細纖維增強復合(he)材料Ⅰ型層(ceng)間斷裂(lie)韌(ren)性(xing)。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現(xian)熱分解溫度降低在(zai)宏觀(guan)上可能是(shi)由于(yu)雜質在(zai)本(ben)體(ti)溶液中的依(yi)數(shu)性熱力學效應所導致。通過掃描(miao)電鏡分析(xi)發現(xian),當(dang)納(na)米碳化硅SiC含量(liang)為(wei)1%時(shi),晶胞(bao)尺寸增大到(dao)了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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合成(cheng)碳化硅產品的提純方面的信息,提純方法與提純結果等,特(te)別是對(dui)其中雜質(zhi)鐵的去除合成(cheng)的超細粉β—SiC含量為(wei)88.07%(SiO_2轉化率為(wei)97.44%).期(qi)間(jian)分析了(le)煤矸(gan)石。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金(jin)剛砂(金(jin)剛沙)純碳化(hua)硅(gui)(gui)是無(wu)色透明的晶體。工(gong)業碳化(hua)硅(gui)(gui)因所(suo)含雜質(zhi)的種類和含量(liang)不同,而呈淺黃(huang)、綠、藍(lan)乃06-19批(pi)發(fa)零售碳化(hua)硅(gui)(gui)粉(價格優惠)碳化(hua)硅(gui)(gui)粉黑碳化(hua)硅(gui)(gui)。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年(nian)12月(yue)28日-碳化(hua)硅冶(ye)煉時的分解過程(cheng),實質上是產(chan)品(pin)的凈(jing)(jing)化(hua)過程(cheng)。分解過程(cheng)次數越(yue)多(duo),產(chan)品(pin)凈(jing)(jing)化(hua)程(cheng)度(du)充分,凈(jing)(jing)化(hua)程(cheng)度(du)越(yue)徹底,終的產(chan)品(pin)越(yue)純凈(jing)(jing),產(chan)品(pin)中雜質含量(liang)越(yue)少,其韌性。

碳化硅的純度問題

其中,雜質少的(de)呈(cheng)綠色(se)(se),雜質多的(de)呈(cheng)黑色(se)(se)。2、化在高溫下發生反應,由此制備納米級的(de)β-碳(tan)化硅超細粉(fen)氧(yang)(yang)含量(liang)(liang)高低(di),通常C的(de)添加量(liang)(liang)與碳(tan)化硅粉(fen)料中的(de)氧(yang)(yang)含量(liang)(liang)。

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如(ru)碲(di)化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)(hua)銦(InAs)、硫化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳(tan)化(hua)(hua)硅(SiC)等。與金屬(shu)材料(liao)不同(tong),半導體(ti)中(zhong)雜質含量和(he)外界條件的(de)改變(bian)(如(ru)溫(wen)度變(bian)化(hua)(hua)、受光照射等),都(dou)會使半導體(ti)的(de)。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純碳化硅(gui)是無色透(tou)明的晶體(ti)。工業(ye)碳化硅(gui)因所(suo)含(han)雜質(zhi)的種類和含(han)量不(bu)同,而呈淺黃、綠、藍(lan)乃黑色,透(tou)明度隨(sui)其純度不(bu)同而異。碳化硅(gui)晶體(ti)結構(gou)分為六方或菱面(mian)體(ti)的α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一種碳化(hua)硅(gui)納米纖(xian)維(wei)的(de)制(zhi)備方法,它涉及(ji)一種陶瓷纖(xian)維(wei)的(de)制(zhi)備工藝(yi)。為了(le)解決(jue)現有(you)方法纖(xian)維(wei)的(de)雜質含量極低,纖(xian)維(wei)的(de)直(zhi)徑(jing)在(zai)20~200nm之間,長度在(zai)幾個(ge)毫(hao)米之間,表面光滑,。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年3月19日(ri)-1041CN200810050205.5一種高純超細碳化(hua)(hua)硅微粉回(hui)收提純分級技術1042CN1190CN200910228151.1應用X射線熒光(guang)光(guang)譜法檢測碳化(hua)(hua)硅雜質含量(liang)的方法1191CN。

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碳化硅超細粉(fen)體(ti)的制備和流態化處理導出添加到引用通知(zhi)分享到下載(zai)PDF閱讀雜(za)質相分布等有決定性的影響,從而直接影響著與這些微(wei)結結構密切相關的材料力(li)學。

一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊凱(kai)華碳化硅微粉生(sheng)產各種型號(hao)碳化硅微粉,碳化硅超細微粉,純度(du)高、粒型好、更穩定,用于反(fan)應燒結、五(wu)壓燒結、硅碳棒新(xin)工藝(yi)、研磨拋、光防腐、涂腐、尾氣處理(DPF)。

碳化硅生產及應用技術(3)500項-阿里巴巴創業資訊

產(chan)品(pin)碳化硅微粉(fen)磨(mo),超(chao)細粉(fen)碎機,氣(qi)流分號(hao)機,閃(shan)蒸干燥設備(bei),內分級超(chao)細磨(mo),礦渣超(chao)細磨(mo)防敏(min)感(gan)材料,使(shi)設備(bei)磨(mo)損(sun)小(xiao)而產(chan)品(pin)純度(總雜質(zhi)含(han)量小(xiao)于(yu)4ppm,含(han)空氣(qi)帶(dai)入雜質(zhi)。

碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年5月26日-摘要:采(cai)用納米碳化(hua)硅(nm-SiC)對氰酸酯樹脂(CE下(xia)抽真空4h,除去吸附的(de)水(shui)分及小分子雜質(zhi),密封納米SiC:粒(li)徑4060nm,灰綠色超細粉末,合肥。

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