
金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金(jin)屬氧(yang)化(hua)(hua)物碳化(hua)(hua)硅(gui)避(bi)雷器(qi)電力電纜(lan)電壓響應過沖保(bao)護性(xing)能殘壓測試回路相(xiang)近似電流脈(mo)沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖激光(guang)退(tui)火納米(mi)碳化硅的(de)(de)光(guang)致發(fa)光(guang)于威(wei),何杰(jie),孫(sun)運濤(tao),韓理,在(zai)電流(liu)激發(fa)方面存在(zai)較大(da)困難,因此對(dui)(dui)碳化硅發(fa)光(guang)材(cai)料的(de)(de)制備(bei)及發(fa)光(guang)特性進行分析(xi)對(dui)(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位論文(wen)納米(mi)碳化(hua)硅的脈沖激光燒蝕沉積(ji)及(ji)其(qi)光學(xue)(xue)特(te)性研究姓名:孫(sun)運濤(JFET,可達到(dao)電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導的指標lOOmS/mm)以及(ji)用6H—SiC制作(zuo)的金(jin)屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已(yi)有頻率1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率400W的報道[;。2.2碳化(hua)硅功率雙極與碳化(hua)硅功率MOS相比(bi),對(dui)3000V以上的阻斷電壓,其通態電流密度可以高(gao)出(chu)幾(ji)個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文(wen)]2007年(nian)5月28日-從(cong)而具(ju)有(you)非(fei)常高的(de)(de)浪(lang)涌(yong)電流承受能(neng)(neng)力和穩定的(de)(de)過壓中的(de)(de)PFC級應用在瞬時脈沖和過壓狀態(tai)下具(ju)有(you)更高利用具(ju)有(you)獨特性(xing)能(neng)(neng)的(de)(de)碳(tan)化硅作為器件(jian)材料,能(neng)(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高(gao)頻(pin)(pin)脈(mo)沖電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化結構研究了電(dian)源頻(pin)(pin)率、占(zhan)空比(bi)、陰極(ji)(ji)電(dian)流密度及(ji)鍍(du)液中鈷(gu)1袁逖;高(gao)頻(pin)(pin)脈(mo)沖電(dian)沉積鎳鈷(gu)碳化硅鍍(du)層耐(nai)蝕性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采(cai)用60m長的(de)138kV電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)纜(lan)產生的(de)幾十萬(wan)伏、2萬(wan)安以上的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)、波頭時間約50ns的(de)脈沖。被試品為9kV金屬氧化物及碳化硅避(bi)雷器。避(bi)雷器的(de)電(dian)(dian)(dian)壓響(xiang)應包括陡的(de)過沖電(dian)(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美(mei)國陸軍研究人員正在向行業(ye)尋求(qiu)開發(fa)進(jin)的碳化硅(gui)(SiC)半導(dao)體功率電子技術種(zhong)高等級配置的高壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分(fen)子(zi)脈沖激光退火技(ji)術制備(bei)了納米晶態碳(tan)化硅薄(bo)(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對(dui)薄(bo)(bo)膜(mo)的光致(zhi)發(fa)光(PL)特(te)性進行了分(fen)析(xi)。結果(guo)表(biao)明,納米SiC薄(bo)(bo)膜(mo)的光致(zhi)發(fa)光表(biao)現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)驅(qu)(qu)動脈沖(chong)電壓,驅(qu)(qu)動電流(liu)(liu)為(wei)脈沖(chong)電流(liu)(liu).V為(wei)驅(qu)(qu)動脈沖(chong)電壓,驅(qu)(qu)動電流(liu)(liu)為(wei)脈沖(chong)電流(liu)(liu).收藏此頁推薦給好友09-23[技術(shu)資訊]碳(tan)化(hua)硅在高(gao)溫范圍內(nei)具有(you)低開(kai)關損耗(hao)的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)改進的(de)過壓和浪涌(yong)電流能力(li)可以使(shi)二極管(guan)的(de)壓力(li)減小,使(shi)應用具有(you)(you)更高的(de)可靠性(xing)。SiC肖特(te)基二極管(guan)——適(shi)合各種(zhong)供電條件的(de)解決(jue)方(fang)案(an)利用具有(you)(you)獨特(te)性(xing)能的(de)碳化硅作為器(qi)件。
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論(lun)文天下(xia)提供的(de)<高(gao)頻脈沖電沉積鎳(nie)鈷碳化硅(gui)鍍(du)層耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性的(de)研(yan)究;論(lun)文包括高(gao)頻脈沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性陽(yang)極極化結(jie)構等其他相(xiang)關內容(rong)論(lun)文。
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諸(zhu)暨市(shi)特(te)耐工(gong)程陶瓷有(you)限公司(si)碳(tan)化硅脈沖類型:脫硫除塵器林格(ge)曼黑度:3級品牌:帕特(te)納型號(hao):碳(tan)化硅噴(pen)嘴脫硫率:97(%)除塵率:96(%)阻力損失:-(Pa),環(huan)球貿易網為您提(ti)供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年(nian)8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體(ti)管,射頻峰值(zhi)功率(lv)達2200瓦(wa),可用(yong)于大功率(lv)超高(gao)頻脈沖系統的(de)另一些優點包(bao)括簡化阻抗匹配(pei),125伏的(de)操縱電壓,低電導電流,高(gao)峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度(du)脈沖(chong)方法(fa)制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀(guan)結構與性能研究袁明,黃政仁(ren),董紹明,朱云洲,江東(dong)亮中國科(ke)學院上海(hai)硅酸鹽研究所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北(bei)大學(xue)碩士(shi)學(xue)位論(lun)文納米碳化(hua)硅的(de)脈(mo)(mo)沖激(ji)(ji)光(guang)燒(shao)蝕(shi)沉(chen)積及其光(guang)學(xue)特性研究姓(xing)名:孫運(yun)濤申請學(xue)位級別(bie):碩士(shi)專(zhuan)業(ye):光(guang)學(xue)指導教師:于威(wei)20030101摘要本工作采(cai)用脈(mo)(mo)沖激(ji)(ji)光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸軍研究人員(yuan)正在向行(xing)業尋求開(kai)發進的碳化(hua)硅(SiC)半導體(ti)功(gong)率電(dian)子技術種高等級配(pei)置的高壓開(kai)關,脈(mo)沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流(liu)峰值30A,。
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[圖文]從而具有(you)非常高的浪(lang)涌(yong)電流承受能力和穩(wen)定的過壓(ya)特性(xing)。網中的PFC級應用在瞬(shun)時(shi)脈沖和過壓(ya)狀態下具有(you)更高的利用具有(you)獨特性(xing)能的碳化(hua)硅作(zuo)為器件材料,能制造出接近(jin)。
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通過(guo)激光(guang)脈(mo)沖波形與光(guang)電流脈(mo)沖波形的比較,估算出2種光(guang)導(dao)開(kai)關的載(zai)流子(zi)(zi)壽命和載(zai)流子(zi)(zi)的基礎上改進設計,研制出了工(gong)作電壓(ya)超過(guo)10kV、工(gong)作電流超過(guo)90A的碳化硅光(guang)導(dao)。
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鄭州嵩陽機(ji)械有(you)限公(gong)司提(ti)供多種型號的碳化(hua)(hua)硅(gui)脈沖除(chu)塵設(she)(she)備(bei),廠家直接供貨價格優勢明(ming)顯,本公(gong)司提(ti)供的碳化(hua)(hua)硅(gui)脈沖除(chu)塵設(she)(she)備(bei),高品質(zhi)♂碳化(hua)(hua)硅(gui)脈沖除(chu)塵設(she)(she)備(bei)♀只有(you)嵩陽機(ji)械。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試(shi)包括使用1祍(祍)脈沖,開(kai)(kai)關時間比為1000,在“開(kai)(kai)”狀態驅動電(dian)流是100本文鏈(lian)接:碳化硅電(dian)子:全球協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文(wen)]GaN器件包含五項重要特征:高(gao)介電強度、高(gao)工作(zuo)溫度、大(da)電流密(mi)度、高(gao)開關速(su)度,如(ru)何(he)在高(gao)效脈(mo)沖跳(tiao)頻模式下(xia)選擇輸出濾波(1)智(zhi)能(neng)電視前(qian)進(jin)路(lu)上(shang)的三座。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功(gong)率模塊《電(dian)力電(dian)子》2011年(nian)第4期開(kai)關測(ce)試采用(yong)了(le)標準的(de)雙脈沖感性(xing)負載電(dian)路,在600V、100A、溫度分別(bie)為(wei)25℃和150。
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[圖(tu)文]2012年4月16日(ri)-既能滿(man)足電子模塊的(de)正常工作(zuo)電流(liu)(圖(tu)1中的(de)If),也能承受(shou)ISO7637-2脈沖[新品快(kuai)訊]美高森美推出(chu)碳化硅(SiC)材料(liao)和技術的(de)全新1200V肖特基二極(ji)管。
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[圖文]標簽:600509石(shi)墨(mo)烯碳化硅背(bei)景資(zi)料老孟股票具有電(dian)荷這種性質,電(dian)荷的傳導能夠形成電(dian)流并成為(wei)電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻照技術在SiC基底(di)上(shang)外延(yan)石(shi)墨(mo)烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電流互(hu)感器保護用(yong)于(yu)保護電流互(hu)感器即(ji)CTPU.典(dian)型(xing)應用(yong)于(yu)互(hu)感器二次過壓保護,此類(lei)電阻片的靈活性(xing)使其得(de)到廣(guang)范(fan)應用(yong),可用(yong)于(yu)熒光燈的尖峰脈沖(chong)抑制(zhi)(直(zhi)徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)(de)避(bi)雷(lei)器閥片(pian)來看(kan),這(zhe)些避(bi)雷(lei)器的(de)(de)閥片(pian)所用(yong)的(de)(de)碳(tan)化硅(gui)比較松散,多半是這(zhe)根電線(xian)有(you)脈沖電流渡過(guo),這(zhe)時,測定(ding)在配電線(xian)路的(de)(de)導(dao)體上感應的(de)(de)電壓波形(xing)。相(xiang)應的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是碳化(hua)硅微粉(fen)磨的(de)生產加工中,粉(fen)塵外泄問題(ti)為嚴重(zhong),上(shang)海(hai)卓亞(ya)礦(kuang)山機械有限公司研(yan)究(jiu)者(zhe)為其進行相應(ying)的(de)分(fen)析與設(she)備(bei)的(de)改造(zao)實驗,終得出使用脈沖除塵器的(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文(wen)]2011年8月(yue)4日-現在(zai)還(huan)有許多公(gong)司在(zai)用不同(tong)的基底(di)(如(ru)藍寶(bao)石和碳化(hua)硅)生(sheng)產GaNLED,這些LED該電路的基本功能是產生(sheng)低頻、快速、大功率驅動電流脈沖信(xin)號(hao),輸出脈沖的。
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2013年7月22日-1998年已(yi)有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率400W的(de)報道[;。2.2碳化硅功率雙(shuang)極開發碳化硅BJT的(de)主要問題是(shi)提高電(dian)流增(zeng)(zeng)益。早期6H-SiCBJT的(de)電(dian)流增(zeng)(zeng)益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖袋式除塵(chen)器,分號機(ji)(ji),粉(fen)碎(sui)機(ji)(ji),氣(qi)流(liu)磨,青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機(ji)(ji)的(de)(de)用途及(ji)適(shi)應范圍(wei):化(hua)工等物科(ke)的(de)(de)粉(fen)碎(sui),尤其適(shi)用于碳化(hua)硅、剛玉、石英、烙煉(lian)石英、石餾石等物科(ke)的(de)(de)粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵(tie)基(ji)復(fu)合材料性(xing)能的影響張躍波1,宗亞平1,曹新建1,張龍21.東北大學材料各向異性(xing)與織(zhi)構教育部實驗室(shi)沈陽1108192.金策(ce)工(gong)業綜合。