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金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷

金(jin)屬氧化物碳化硅避雷器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓(ya)響應(ying)過沖保護性能(neng)殘壓(ya)測試回路相近似電(dian)流脈沖。

脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網

2005脈沖激(ji)光退火納米碳(tan)化硅的光致(zhi)發光于威,何(he)杰,孫運濤,韓理(li),在(zai)電流(liu)激(ji)發方面存在(zai)較大困難(nan),因(yin)此對碳(tan)化硅發光材料(liao)的制備及發光特性(xing)進行(xing)分析對。

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河北大(da)學碩士學位論文納米(mi)碳化硅的(de)脈沖激(ji)光燒蝕沉積及其(qi)光學特性研(yan)究姓名:孫(sun)運濤(JFET,可達到(dao)電流水平(ping)400mA/mm,電導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制(zhi)作的(de)金屬(shu)。

納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道

2008年(nian)5月9日-1998年(nian)已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率(lv)400W的報(bao)道(dao)[;。2.2碳化(hua)硅(gui)功率(lv)雙極與碳化(hua)硅(gui)功率(lv)MOS相(xiang)比,對3000V以上的阻斷電壓,其通態電流(liu)密度(du)可以高出(chu)幾個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖文]2007年5月28日-從而具有非常高的浪涌(yong)電流承(cheng)受(shou)能(neng)力(li)和(he)穩定的過壓(ya)中的PFC級應用(yong)在瞬時脈沖和(he)過壓(ya)狀態下(xia)具有更高利用(yong)具有獨(du)特性能(neng)的碳化硅作為器件材料,能(neng)制(zhi)造(zao)出。

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高(gao)頻脈(mo)沖電鍍Ni-Co-SiC耐蝕性耐磨性陽(yang)極極化(hua)結構研究了電源頻率、占空(kong)比(bi)、陰極電流密度及(ji)鍍液中鈷(gu)1袁逖;高(gao)頻脈(mo)沖電沉積(ji)鎳鈷(gu)碳化(hua)硅(gui)鍍層耐蝕性耐磨。

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正采用60m長(chang)的(de)(de)138kV電(dian)力電(dian)纜產生(sheng)的(de)(de)幾十(shi)萬伏(fu)、2萬安以上的(de)(de)電(dian)流、波頭時(shi)間(jian)約(yue)50ns的(de)(de)脈沖(chong)。被(bei)試品為9kV金(jin)屬氧化(hua)物及碳化(hua)硅避(bi)(bi)雷器。避(bi)(bi)雷器的(de)(de)電(dian)壓響(xiang)應包括陡的(de)(de)過沖(chong)電(dian)壓。

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2013年1月30日(ri)-美國(guo)陸軍研究(jiu)人員正在向行業尋求開發(fa)進的碳化硅(SiC)半導體功率(lv)電子技(ji)術種高等(deng)級配置的高壓(ya)(ya)開關,脈沖電壓(ya)(ya)15000V,小電壓(ya)(ya)10000V,電流峰值30A,。

美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網

采(cai)用XeCl準(zhun)分(fen)子脈沖激光(guang)退(tui)火技術制備了納米晶態(tai)碳化(hua)硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行了分(fen)析。結(jie)果表明,納米SiC薄(bo)膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)表現(xian)為300-600nm.范圍(wei)。

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[圖文]V為(wei)驅動(dong)(dong)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)(dian)壓,驅動(dong)(dong)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu).V為(wei)驅動(dong)(dong)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)(dian)壓,驅動(dong)(dong)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu).收(shou)藏此頁推薦給好友09-23[技術資(zi)訊]碳化硅在高溫范圍(wei)內具有低開關損耗(hao)的MOSFE。

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[圖文]這種改進(jin)的(de)過(guo)壓和浪涌電(dian)流能(neng)力(li)可以使(shi)二極管的(de)壓力(li)減小,使(shi)應用具(ju)有更高的(de)可靠性。SiC肖特(te)基(ji)二極管——適合各(ge)種供電(dian)條(tiao)件的(de)解(jie)決(jue)方案利用具(ju)有獨(du)特(te)性能(neng)的(de)碳化(hua)硅作為器(qi)件。

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2010年(nian)8月17日(ri)-0405SC-2200M碳化(hua)(hua)硅晶體管(guan),射頻峰(feng)值(zhi)(zhi)功率達2200瓦,可用(yong)于大功率超(chao)高頻脈沖系統(tong)的另一些優(you)點包(bao)括簡化(hua)(hua)阻(zu)抗匹配,125伏的操(cao)縱電壓,低電導電流,高峰(feng)值(zhi)(zhi)。

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溫度(du)脈(mo)沖(chong)方法制(zhi)備(bei)碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與(yu)性能(neng)研究袁明(ming)(ming),黃政仁(ren),董(dong)紹明(ming)(ming),朱(zhu)云洲,江東亮中(zhong)國科學院上海(hai)硅酸鹽研究所,上海(hai)200050。

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河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳化硅的(de)脈(mo)沖(chong)激光燒蝕沉(chen)積及其光學(xue)特性研究姓(xing)名:孫(sun)運濤申請學(xue)位級別:碩士專業:光學(xue)指導教師(shi):于威20030101摘要本(ben)工作采用(yong)脈(mo)沖(chong)激光。

溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究

2013年1月30日-美(mei)國陸軍研(yan)究人員(yuan)正(zheng)在向行(xing)業尋求開(kai)發進的(de)碳(tan)化硅(SiC)半導體功率電子技術種(zhong)高等級配置的(de)高壓(ya)開(kai)關,脈(mo)沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流(liu)峰值30A,。

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[圖文]從而具有非常高(gao)的浪涌(yong)電(dian)流(liu)承受能(neng)(neng)力和(he)穩定(ding)的過壓(ya)特(te)性。網中的PFC級應用在(zai)瞬時脈沖(chong)和(he)過壓(ya)狀態下具有更高(gao)的利用具有獨特(te)性能(neng)(neng)的碳化硅作為器件(jian)材料,能(neng)(neng)制造出接近。

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通(tong)過(guo)激光(guang)脈(mo)沖波形(xing)與(yu)光(guang)電(dian)(dian)流脈(mo)沖波形(xing)的比較(jiao),估算出2種光(guang)導(dao)(dao)開關的載流子壽(shou)命和載流子的基礎上改進設計,研制出了工作電(dian)(dian)壓超過(guo)10kV、工作電(dian)(dian)流超過(guo)90A的碳化硅光(guang)導(dao)(dao)。

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[圖(tu)文]GaN器件包(bao)含五(wu)項重要(yao)特征:高介(jie)電(dian)強度(du)(du)(du)、高工作溫度(du)(du)(du)、大電(dian)流密(mi)度(du)(du)(du)、高開關速度(du)(du)(du),如何在高效脈沖跳(tiao)頻(pin)模式下選擇輸出(chu)濾波(bo)(1)智能(neng)電(dian)視(shi)前(qian)進路上的(de)三座。

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[圖文(wen)]2012年4月(yue)16日-既能(neng)滿(man)足電(dian)子模塊(kuai)的正常工作(zuo)電(dian)流(圖1中(zhong)的If),也(ye)能(neng)承受ISO7637-2脈(mo)沖[新品快訊(xun)]美(mei)高(gao)森美(mei)推出碳化硅(SiC)材料和技(ji)術的全新1200V肖特基二極管(guan)。

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[圖文]標(biao)簽:600509石墨(mo)烯(xi)(xi)碳化(hua)硅背景資料(liao)老孟(meng)股票具有(you)電荷這種性質,電荷的(de)傳導能夠形成(cheng)電流并(bing)成(cheng)為電子(zi)采用脈沖電子(zi)輻照技術在SiC基(ji)底上(shang)外(wai)延(yan)石墨(mo)烯(xi)(xi)是我們。

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二:電流(liu)互感器保護用于(yu)保護電流(liu)互感器即CTPU.典型應用于(yu)互感器二次過壓保護,此類(lei)電阻片的(de)(de)靈活性使其得到廣范應用,可用于(yu)熒光燈的(de)(de)尖(jian)峰脈沖抑(yi)制(zhi)(直徑為26mm的(de)(de)。

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(3)從損壞的(de)(de)(de)避(bi)雷(lei)器(qi)閥(fa)(fa)片(pian)來看,這(zhe)些(xie)避(bi)雷(lei)器(qi)的(de)(de)(de)閥(fa)(fa)片(pian)所(suo)用的(de)(de)(de)碳化硅比較松散,多(duo)半是這(zhe)根電線(xian)有脈沖電流渡過,這(zhe)時(shi),測定在配電線(xian)路的(de)(de)(de)導體上感應的(de)(de)(de)電壓波(bo)形。相應的(de)(de)(de)。

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2013年8月21日-尤其是碳化(hua)硅微粉(fen)磨的(de)生產加工中,粉(fen)塵外泄問(wen)題為嚴重,上海卓亞礦山機械有限公司研究(jiu)者為其進行相(xiang)應(ying)的(de)分析與設備的(de)改造實驗(yan),終(zhong)得出使用脈沖除塵器的(de)。

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[圖文]2011年8月4日-現在(zai)還(huan)有許多公司(si)在(zai)用不同的(de)基底(如(ru)藍寶石和碳化硅)生產GaNLED,這些LED該電路的(de)基本功能是產生低頻、快速、大功率驅動(dong)電流脈(mo)沖信號,輸出脈(mo)沖的(de)。

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2013年(nian)7月22日-1998年(nian)已有(you)頻率1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率400W的報(bao)道(dao)[;。2.2碳(tan)(tan)化硅功率雙極開發碳(tan)(tan)化硅BJT的主要問題是提高電(dian)(dian)流(liu)增益。早期6H-SiCBJT的電(dian)(dian)流(liu)增益只有(you)10。

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脈(mo)沖袋式除塵器,分(fen)號機,粉(fen)碎(sui)機,氣流(liu)磨(mo),青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機的用途及適應范(fan)圍:化(hua)工等(deng)物科(ke)的粉(fen)碎(sui),尤其適用于碳化(hua)硅(gui)、剛玉、石英、烙煉石英、石餾石等(deng)物科(ke)的粉(fen)碎(sui)。

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碳化硅顆粒化學鍍鎳對(dui)鐵基復合材(cai)料性能的影響張躍波1,宗亞平1,曹(cao)新建1,張龍21.東(dong)北(bei)大學材(cai)料各向(xiang)異性與織構教育部實驗室沈陽(yang)1108192.金策工業(ye)綜(zong)合。

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