碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離子發射光譜法微(wei)量(liang)雜質元(yuan)素測(ce)定(ding)微(wei)電子工業(ye)發動(dong)機雜質分析(xi)高溫技術聚變裝(zhuang)置微(wei)量(liang)元(yuan)素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化鉛(qian)(PbTe)、砷(shen)化銦(InAs)、硫化鉛(qian)(PbS)、碳化硅(SiC)等(deng)(deng)。與金屬材料不同,半導體中雜質含量和外(wai)界條件的改變(bian)(如溫度變(bian)化、受光照射等(deng)(deng)),都會使半導體的。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化(hua)硅(gui)制品(pin)中(zhong)的雜(za)(za)質(zhi)沒有(you)(you)任(ren)何一件事物(wu)是沒有(you)(you)雜(za)(za)質(zhi)的,即便是很(hen)多化(hua)學原料或者經(jing)過(guo)多重步驟(zou)產(chan)(chan)生的高科技產(chan)(chan)品(pin),所(suo)以(yi),目前市場上出現的碳化(hua)硅(gui)產(chan)(chan)品(pin)也(ye)有(you)(you)很(hen)多雜(za)(za)質(zhi)。但是。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一種應用X射(she)線熒光光譜法檢測(ce)碳化硅(gui)(gui)雜質含量的方法,其(qi)步(bu)驟如(ru)下:1、制備測(ce)試(shi)樣片;2、制備標準樣片:①提(ti)純(chun)碳化硅(gui)(gui)的制樣;②碳化硅(gui)(gui)提(ti)純(chun),制備出(chu)純(chun)品碳化硅(gui)(gui);③。
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現在(zai)的原料主(zhu)要成分是硅和碳化(hua)硅的混合物,里面含有少量鐵(tie)(tie)雜(za)質,怎樣除去鐵(tie)(tie),請各位賜教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳(tan)(tan)化硅晶體中(zhong)的雜質是(shi):鐵、鋁、鈣、鎂(mei)、硅等(deng)的氧化物和碳(tan)(tan)化物,以及它們的共(gong)熔物。這些雜質在冶煉爐熱(re)動(dong)力條件下,溫度在2100——2200℃時(shi)被蒸發(fa)排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅因其相較α-碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅擁有更(geng)高的(de)比(bi)表(biao)面積,所以可用于(yu)非均相催化(hua)劑的(de)負載體。純的(de)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅是無色的(de),工業用碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅由(you)于(yu)含有鐵等雜質而呈(cheng)現(xian)棕色黑色晶體。
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開(kai)始時(shi)間:結(jie)束時(shi)間:雜質碳加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)-催化(hua)(hua)劑,二氧(yang)化(hua)(hua)碳,碳化(hua)(hua)硅,X射線,生產碳化(hua)(hua)硅版的出價(jia)/購買(mai)記(ji)錄Top一口價(jia):元(yuan)該物品已下架立即購買(mai)。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)熱(re)率(lv):碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅制(zhi)品的(de)導(dao)熱(re)率(lv)非(fei)常非(fei)常高(gao),熱(re)膨脹參數小巧,抗熱(re)震性非(fei)常非(fei)常高(gao),是優質的(de)耐火(huo)材料(liao)。3、電學(xue)屬(shu)性恒溫下工(gong)業(ye)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅是一種半導(dao)體,屬(shu)雜(za)質導(dao)電性。高(gao)純度。
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阿里(li)巴巴供(gong)(gong)應(ying)綠色(se)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)雜質(zhi)少硅(gui)(gui)(gui)含量(liang)(liang)98.5河南(nan)SIC碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)生產基地(di),研磨材料,這里(li)云集了(le)眾多的供(gong)(gong)應(ying)商,采購(gou)商,制造商。這是(shi)供(gong)(gong)應(ying)綠色(se)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)雜質(zhi)少硅(gui)(gui)(gui)含量(liang)(liang)98.5河南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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舉(ju)報文檔(dang)介紹暫無描(miao)述文檔(dang)分(fen)類待(dai)分(fen)類文檔(dang)格(ge)式.pdf文檔(dang)標簽加(jia)熱棒碳化硅石墨雜質數值溫度評論評論的時(shi)候,請遵(zun)紀(ji)守法并注意(yi)語言文明,多給文檔(dang)。
碳化硅的特性和根本機能
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2011年6月14日-碳化(hua)硅在(zai)現(xian)代工(gong)業生(sheng)產中的(de)(de)應用范圍比(bi)較(jiao)廣泛,比(bi)較(jiao)為(wei)人們所了解的(de)(de)是(shi)應用于磨料(liao)、磨具領域(yu)。但是(shi)隨(sui)著科學(xue)技術的(de)(de)進步,人們對(dui)碳化(hua)硅的(de)(de)認識也逐(zhu)漸深入,由此(ci)開發。
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碳化(hua)硅(gui)(SiC)是用石英砂(sha)、石油焦(或煤焦)、木(mu)屑為原料通過(guo)電(dian)阻爐高溫冶煉而成。碳化(hua)硅(gui)在大自然也存在罕見(jian)的(de)礦物,莫(mo)桑石。碳化(hua)硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅;物(wu)理(li)性質性狀:綠色(se)藍(lan)黑(hei)色(se)結(jie)晶(jing)(jing)性粉末(mo)(mo).含(han)雜(za)質的碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅為(wei)綠色(se),固性狀:綠色(se)藍(lan)黑(hei)色(se)結(jie)晶(jing)(jing)性粉末(mo)(mo).含(han)雜(za)質的碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅為(wei)綠色(se),固溶有炭和金屬氧化(hua)(hua)物(wu)雜(za)質呈黑(hei)色(se)。密(mi)。
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論文(wen)天下提(ti)供的(de)<二(er)次(ci)離(li)(li)子質(zhi)譜(pu)分(fen)析碳(tan)化硅(gui)中釩雜質(zhi)含量(liang)的(de)研究;論文(wen)包括碳(tan)化硅(gui)二(er)次(ci)離(li)(li)子質(zhi)譜(pu)釩摻(chan)雜定量(liang)分(fen)析二(er)次(ci)離(li)(li)子質(zhi)譜(pu)分(fen)析離(li)(li)子注入樣品等其(qi)他相關內容(rong)論文(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月(yue)24日(ri)-碳化硅俗稱金剛石,又(you)稱碳硅石,主要用作(zuo)耐(nai)磨材(cai)料,耐(nai)火材(cai)料,核反(fan)應(ying)堆材(cai)料及制造電(dian)阻發熱(re)硅碳棒(管),半導體元件,C二(er)級管,晶體管,電(dian)器元件,火箭噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領(ling)域:新能源光伏需(xu)求類型:技術服務需(xu)求編(bian)號:189-07制(zhi)粉是碳化硅微(wei)粉生產(chan)中的重要工序,但由于(yu)碳化硅的硬(ying)度(du)較高,其莫氏硬(ying)度(du)為9.5級,在莫氏硬(ying)度(du)標準中僅低(di)于(yu)金剛(gang)石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用(yong)ICP-MS法對高純(chun)碳化硅粉表(biao)面(mian)的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種(zhong)痕量雜(za)質(zhi)(zhi)進行測(ce)定,用(yong)氫氟酸溶液浸提試樣表(biao)面(mian)雜(za)質(zhi)(zhi),用(yong)釔做內(nei)標補償(chang)。
碳化硅|化合物-查字典
一種(zhong)無TiC雜質相的(de)碳化硅鈦陶瓷粉體(ti)的(de)合成(cheng)方法(fa),其特征在(zai)于:(1)以Ti粉、Si粉和(he)TiC本發明(ming)公(gong)開了一種(zhong)低成(cheng)本無TiC雜質相的(de)碳化硅鈦陶瓷粉體(ti)的(de)常壓合成(cheng)方法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂(yi)市金蒙碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅有(you)限公(gong)司是一家擁有(you)國內先進的碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅微粉,黑碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅,綠碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅,綠碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅微粉,黑碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅微粉,碳(tan)(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅粒度砂,生(sheng)產線和(he)工藝技術,服務熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年(nian)5月9日-碳化硅電力(li)(li)電子(zi)(zi)器件(jian)研發進展(zhan)與存在問題,1引言(yan)借助于微電子(zi)(zi)技術的長足發展(zhan),以硅器件(jian)為基礎的電力(li)(li)電子(zi)(zi)技術因(yin)大功(gong)率(lv)場效應晶體(ti)管(功(gong)率(lv)MOS)和絕緣柵雙極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離(li)硅(gui)。它一部(bu)分溶(rong)解于SiC晶(jing)體中,一部(bu)分與其雜質(如鐵、鋁、鈣等)形(xing)成合金而(er)粘附于晶(jing)體上(shang)或(huo)嵌(qian)在晶(jing)體中。2、游離(li)二(er)氧化硅(gui)。通常存(cun)在于晶(jing)體表(biao)面(mian)。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態施主(zhu)能(neng)(neng)級(ji)分(fen)裂(lie)(lie)對(dui)雜質電離的影(ying)響(xiang),與溫度(du)、摻(chan)雜濃(nong)度(du)和雜質能(neng)(neng)級(ji)深度(du)的關系進行了系統研究(jiu)。發現(xian)只(zhi)有在高溫且摻(chan)雜濃(nong)度(du)低的情況下,能(neng)(neng)級(ji)分(fen)裂(lie)(lie)的影(ying)響(xiang)很小可(ke)忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結合碳化硅材料反應燒(shao)結時的(de)雜質相行為分析,郝(hao)小勇;-陶(tao)瓷工程1998年(nian)(nian)第03期(qi)在線(xian)閱讀、文章下載。<正;l前言(yan)Si3N4結合SIC材料的(de)研究(jiu)近年(nian)(nian)來在國內發展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材料反(fan)應(ying)燒結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相的反(fan)應(ying)行為。氮化硅結(jie)(jie)合碳化硅材料反(fan)應(ying)燒結(jie)(jie)時的雜質(zhi)相行為分析前(qian)言:分析了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用的切(qie)割(ge)液和碳化硅微粉(fen)在線切(qie)割(ge)過程中,砂漿中不(bu)可避免(mian)的會混(hun)入硅粉(fen)、鐵、高聚物(wu)等(deng)雜質(zhi),部分碳化硅微粉(fen)也會因切(qie)割(ge)作用而(er)出現破損,產生的廢砂漿很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅結(jie)(jie)合碳化(hua)硅材料反(fan)應(ying)(ying)燒(shao)結(jie)(jie)時的雜質(zhi)相行為分(fen)析-分(fen)析了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材料反(fan)應(ying)(ying)燒(shao)結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相的反(fan)應(ying)(ying)行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅質泡(pao)(pao)沫(mo)陶瓷過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)(pian),去(qu)孔,濾(lv)(lv)渣,吸附雜質泡(pao)(pao)沫(mo)陶瓷過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)(pian)簡介泡(pao)(pao)沫(mo)陶瓷過(guo)濾(lv)(lv)器的過(guo)濾(lv)(lv)機(ji)理:整流作(zuo)用:在澆鑄系統中(zhong)放置泡(pao)(pao)沫(mo)陶瓷過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)(pian)后,金屬(shu)液(ye)流阻力增大(da),。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳(tan)素(su)有限公司碳(tan)化硅簡介:碳(tan)化硅英(ying)文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)化硅是無色透明的晶體。工業碳(tan)化硅因所含(han)雜(za)質的種(zhong)類(lei)和(he)含(han)量不同,而呈淺(qian)黃、綠、藍。