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[圖文]2013年(nian)8月19日-我國碳化硅(gui)行業經(jing)過40多(duo)年(nian)的發展取得了長足(zu)的進步,無論是冶煉技(ji)術、生(sheng)產裝備還是能(neng)耗指標都已經(jing)達到(dao)水(shui)平;生(sheng)產能(neng)力(li)、實際產量、國內消費(fei)量以(yi)及(ji)產品。

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《碳化(hua)硅生產新(xin)工藝新(xin)技術(shu)實(shi)用(yong)手冊》,《碳化(hua)硅生產新(xin)工藝新(xin)技術(shu)實(shi)用(yong)手冊》作者:本書編委會出版(ban)社:中國科技文化(hua)2009年2月規(gui)格:精(jing)裝全二冊訂購熱線。

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碳化(hua)硅的(de)分析方(fang)法楊繼光馬(ma)麗娟摘要:闡述了碳化(hua)硅(SiC)的(de)化(hua)學分析方(fang)法,比(bi)較和分析了中(zhong)國(guo)和日本在(zai)SiC分析方(fang)面(mian)的(de)差別,加快中(zhong)國(guo)SiC工業發展(zhan)提出了建議(yi)。

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本(ben)發明涉及一種碳化硅表面改性方法。將(jiang)碳化硅粉末焙燒用雙氧(yang)水與(yu)濃(nong)硫酸(suan)混(hun)合溶液(ye)浸泡(pao);取出用去(qu)離子水沖洗(xi)干(gan)凈并(bing)烘干(gan),再(zai)與(yu)偶(ou)聯劑(ji)反應1~4小時,把碳化硅再(zai)放入丙酮溶液(ye)。

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本發(fa)明提供一種碳(tan)化(hua)硅(gui)單晶(jing)的(de)制造方法,在(zai)(zai)使碳(tan)化(hua)硅(gui)單晶(jing)在(zai)(zai)單晶(jing)基板上(shang)外(wai)延生長時(shi),能夠減少在(zai)(zai)碳(tan)化(hua)硅(gui)單晶(jing)內產生的(de)表面缺陷(xian)。該方法是(shi)在(zai)(zai)單晶(jing)基板(1)的(de)表面使碳(tan)化(hua)硅(gui)單晶(jing)層外(wai)延。

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2010年9月19日-本(ben)標(biao)準規定了碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)磨料(liao)中的(de)二氧(yang)化(hua)硅(gui)、游離硅(gui)、游離碳(tan)(tan)、總碳(tan)(tan)、碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)、三氧(yang)化(hua)二鐵(tie)的(de)測定方法。本(ben)標(biao)準適用于(yu)(yu)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)磨料(liao)及碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)含(han)量大于(yu)(yu)等于(yu)(yu)95%的(de)結晶塊。

一種碳化硅表面改性方法

新聞(wen)資訊(xun):首(shou)頁;;新聞(wen)資訊(xun);;碳(tan)化(hua)硅(gui)的產(chan)品分類與功(gong)能說明碳(tan)化(hua)硅(gui)的產(chan)品分類與功(gong)能說明碳(tan)化(hua)硅(gui)有(you)黑碳(tan)化(hua)硅(gui)和綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui)兩個常用的基本品種,都(dou)屬α-SiC。①。

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《碳(tan)化硅產品出口質量安全手冊》座談(tan)會在鄭州(zhou)舉行出自《磨(mo)料磨(mo)具(ju)通訊(xun)》2012年(nian)第12期。該(gai)刊暫未被《中文科(ke)技(ji)期刊數(shu)據庫》收錄,故無法提(ti)供(gong)全文下載(zai)。

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更新日(ri)期:2014-10-11,英才圖(tu)書文化(hua)發(fa)展有限公司,專(zhuan)業生產碳化(hua)硅生產新工藝新技術(shu)實用手冊(ce),15100727882,400-0829993(來(lai)自一呼百應企業商鋪b2b.youboy.)。

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類別:礦物--碳(tan)硅(gui)范圍(wei):國(guo)內買/賣(mai):賣(mai)品(pin)名:碳(tan)化硅(gui)規格:SiC-70%minSiC-50%min數量(liang):常年工廠大量(liang)供(gong)應價格:產(chan)地(di):安陽包裝:噸袋。

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碳(tan)化(hua)硅有(you)黑(hei)碳(tan)化(hua)硅和(he)綠碳(tan)化(hua)硅兩個常用的基(ji)該品種,都屬-SiC。黑(hei)碳(tan)化(hua)硅含SiC約95%,其韌(ren)性(xing)高于(yu)綠碳(tan)化(hua)硅,大多用于(yu)加工抗張強(qiang)度(du)低的材(cai)料,如(ru)玻璃、陶瓷(ci)、石(shi)材(cai)、耐火(huo)材(cai)料。

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2012年10月(yue)3日-碳(tan)化硅(gui)的使(shi)用(yong)方法及注(zhu)意事項有(you)以下四條:小(xiao)編1、碳(tan)化硅(gui)產品包裝聚丙烯編織(zhi)袋與聚乙烯薄膜雙(shuang)層包裝,分25公(gong)斤(jin)和(he)50公(gong)斤(jin)兩種包裝。小(xiao)編2、扒凈(或扒40%-。

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供應(ying)綠(lv)碳(tan)化硅微(wei)粉(fen),供應(ying):產品名稱:綠(lv)碳(tan)化硅微(wei)粉(fen)(1200#)報(bao)價(jia):15000產品規格:原產地(di):河南洛陽應(ying)用行業:金屬加(jia)工,陶瓷加(jia)工,電子信息材料加(jia)工,磨料制造應(ying)用。

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2012年(nian)12月22日-碳(tan)化(hua)硅中硅的(de)含量決定碳(tan)化(hua)硅的(de)硬度。下(xia)(xia)面我們(men)來看一下(xia)(xia)碳(tan)化(hua)硅微粉的(de)主要(yao)(yao)分析(xi)檢(jian)測(ce)方法有哪些檢(jian)測(ce)辦法:硅的(de)含量需要(yao)(yao)原子吸收檢(jian)測(ce)。碳(tan)化(hua)硅粒徑需要(yao)(yao)電阻法顆粒。

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《SN/T0256-1993出(chu)口(kou)碳化(hua)(hua)硅(gui)分析方(fang)法碳化(hua)(hua)硅(gui)含量(liang)的測定》本標(biao)準規定了用(yong)于(yu)冶金脫(tuo)氧(yang)劑和耐(nai)火材料的出(chu)口(kou)碳化(hua)(hua)硅(gui)中碳化(hua)(hua)硅(gui)含量(liang)的分析方(fang)法。本標(biao)準適用(yong)于(yu)出(chu)口(kou)中、低品位(wei)。

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碳(tan)化(hua)硅電(dian)(dian)熱(re)元件(jian)概(gai)述碳(tan)化(hua)硅電(dian)(dian)熱(re)元件(jian)是選用優質綠(lv)色碳(tan)化(hua)硅為主要(yao)原料,經加工制坯、高(gao)溫硅化(hua)、再結(jie)晶而成的棒狀非金屬高(gao)溫電(dian)(dian)熱(re)元件(jian)。該元件(jian)與金屬電(dian)(dian)熱(re)元件(jian)相比,具有使用。

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又(you)到了(le)小編為大家產品知識的時間了(le),對于碳(tan)化硅的介(jie)紹(shao)相信大家了(le)解了(le)不(bu)少了(le)。小編為大家講(jiang)講(jiang)碳(tan)化硅的應用方(fang)法:碳(tan)化硅現在(zai)在(zai)市場上被使用的是相當廣泛的,。

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中國(guo)機床工具(ju)(ju)工業(ye)協會磨料(liao)磨具(ju)(ju)分會編纂的《碳化硅(gui)產(chan)品出(chu)口質量(liang)安全手冊》評(ping)審會于2012年(nian)12月10日在鄭(zheng)州嵩山飯店舉(ju)行,出(chu)席此次(ci)會議的有商(shang)務部對(dui)外貿易司安麗麗處長,中國(guo)。

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綠(lv)碳化硅(gui)是以石(shi)英砂(SIO2)和石(shi)油焦(C)及氯化鈉(na)(NAC1)為基(ji)本原料在攝(she)氏1800度(du)以上高溫條件下生(sheng)成的非金屬(shu)礦產品,它(ta)具有硬度(du)高、膨脹系數(shu)小、性(xing)脆、導熱性(xing)好等(deng)。

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碳化硅含量大于90、95%,常年使用(yong)產品數量:10噸價格說明:協議產品規格:自然(ran)塊或顆(ke)粒、200目細粉包(bao)裝說明:內塑(su)外編發(fa)布日期(qi):2008-9-1915:41:00有效(xiao)期(qi)。

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2013年5月(yue)21日-2、碳化硅(gui)中硅(gui)的(de)含(han)(han)量(liang)(liang)決定(ding)碳化硅(gui)的(de)硬度。碳化硅(gui)的(de)粒(li)徑大(da)小(xiao)對線切割影響(xiang)很大(da),但重要的(de)是碳化硅(gui)的(de)顆粒(li)形狀。3、檢測(ce)辦法(fa):硅(gui)的(de)含(han)(han)量(liang)(liang)需要原子吸收(shou)檢測(ce)。

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本發明公(gong)開(kai)了一種(zhong)碳化硅微粉除(chu)碳雜質的方法,該(gai)方法包括以下(xia)步驟:首先向碳化硅微粉中注水造漿,加入分散劑后調(diao)節(jie)pH值,后采用離心(xin)設備(bei)對(dui)碳化硅漿料離心(xin),接著將漿料重(zhong)新。

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碳化硅(gui)的主要分析(xi)檢測方法(fa):碳化硅(gui)中硅(gui)的含量決定碳化硅(gui)的硬度(du)。碳化硅(gui)的粒徑大(da)小對(dui)線(xian)切(qie)割影響很大(da),但重要的是碳化硅(gui)的顆粒形狀。因為線(xian)切(qie)割時碳化硅(gui)為游(you)離狀態切(qie)割顆粒。

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