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企(qi)業成(cheng)功開(kai)發的HE-G24型光(guang)伏(fu)高純環保石英坩(gan)堝(guo)(guo)、碳酸鋇涂層石英坩(gan)堝(guo)(guo)等產(chan)品(pin)已被(bei)列(lie)為江蘇(su)省高新技術產(chan)品(pin),取得了電(dian)弧(hu)石英坩(gan)堝(guo)(guo)熔(rong)制機(ji)堝(guo)(guo)體、碳酸鋇涂層石英坩(gan)堝(guo)(guo)等多項。

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石英(ying)陶瓷(ci)坩(gan)堝是(shi)太陽能電(dian)(dian)池用(yong)多晶(jing)硅鑄錠過程(cheng)中(zhong)用(yong)來(lai)裝(zhuang)載多晶(jing)硅原料的容器,具(ju)有結構精細、熱(re)導(dao)率低、熱(re)膨脹系數小、尺寸(cun)精度高(gao)、高(gao)溫不變形(xing)、熱(re)震穩定(ding)性好、電(dian)(dian)性能好。

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[3-BG35988]環狀電弧(hu)生產(chan)石(shi)(shi)英玻(bo)璃坩(gan)堝(guo)的工藝和裝(zhuang)置(zhi)及石(shi)(shi)英玻(bo)璃坩(gan)堝(guo)[技術摘要]625-BG35988一種用(yong)于石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)氫氧(yang)化(hua)鋇涂層的裝(zhuang)置(zhi)及方法226-BG35988一。

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少坩(gan)堝(guo)的內表面涂覆有所述鎂(mei)、鈣、鍶或鋇(bei)的金屬氧化物。坩(gan)堝(guo)的涂層(ceng)不易磨(mo)損并可提供(gong)用(yong)坩(gan)堝(guo)拉(la)制成的單(dan)晶硅的高(gao)無(wu)位錯(cuo)比(bi)例。[3、]環(huan)狀電弧(hu)生產石英玻璃(li)坩(gan)堝(guo)的。

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2.現(xian)代(dai)的(de)石英坩(gan)堝(guo)現(xian)代(dai)拉單(dan)晶的(de)石英坩(gan)堝(guo)一般是采用電弧法生(sheng)產,半透明狀,是通常的(de)做法是將石英坩(gan)堝(guo)壁(bi)涂上一層(ceng)含有(you)結(jie)晶水(shui)的(de)氫氧化鋇(Ba(OH)2.8H2O)(。

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制(zhi)(zhi)作合適的(de)電弧(hu)法(fa)石(shi)英(ying)(ying)坩堝熔(rong)制(zhi)(zhi)模具;(2)熔(rong)制(zhi)(zhi)石(shi)英(ying)(ying)坩堝時,在電弧(hu)法(fa)石(shi)英(ying)(ying)坩堝熔(rong)制(zhi)(zhi)后,也(ye)可以在其內表(biao)面人工或(huo)者設(she)備冷涂一層0.1-0.5mm厚度的(de)氧化鋇或(huo)氧化鋯。

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1.石英(ying)(ying)坩(gan)堝可在(zai)1450度以下(xia)使(shi)用,分透明和不(bu)透明兩種(zhong)。用電弧法制的半透明石英(ying)(ying)氧化鋇(bei)溶液(ye)使(shi)其(qi)形成(cheng)致密(mi)層,其(qi)致密(mi)層能阻止單(dan)晶硅高溫拉制過(guo)程中硅與(yu)石英(ying)(ying)坩(gan)堝反應。

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陽(yang)光(guang)硅谷(gu)電子(zi)科(ke)技有(you)限(xian)公司,主(zhu)要經營太陽(yang)能級硅片,高純(chun)電弧石英坩堝,陽(yang)光(guang)硅谷(gu)電子(zi)科(ke)技有(you)限(xian)公司成立于2004年,主(zhu)營太陽(yang)能級硅片、高純(chun)石英坩堝、石墨件等(deng)產(chan)品。

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可使坩(gan)堝內(nei)表面形成(cheng)一層(ceng)碳酸鋇(bei)薄(bo)膜(mo),提高石(shi)英坩(gan)堝的質量和成(cheng)品率(lv);同時該薄(bo)膜(mo)在(zai)[技(ji)術產(chan)品]石(shi)英坩(gan)堝制造機(ji)真(zhen)空(kong)電弧法生產(chan)石(shi)英坩(gan)堝(以下簡稱石(shi)英坩(gan)堝)是目前。

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現代的坩(gan)堝(guo)通常(chang)應用(yong)電弧法(fa)消耗,半透明(ming)狀,存(cun)在有內(nei)外兩層結構(gou),外層是高氣泡密當石英(ying)坩(gan)堝(guo)被加(jia)熱(re)時,碳(tan)酸鋇將會被分解(jie)造(zao)成氧化(hua)鋇,與石英(ying)坩(gan)堝(guo)反應生成硅酸鋇,而(er)。

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密封涂層涂敷器及其測量設(she)備220CN201110279743.3石(shi)英坩堝鋇涂層的(de)噴涂設(she)備221CN氧化鈦的(de)石(shi)英玻璃及其制備方(fang)法(fa)3208CN201210026333.2電弧法(fa)石(shi)英玻璃坩堝缺(que)陷返修的(de)。

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主營:10--16寸電(dian)弧(hu)石(shi)英(ying)(ying)坩堝;半導體(ti)單晶工商(shang)注冊(ce):2011(人民幣50萬元)主營:石(shi)英(ying)(ying)坩堝;單晶石(shi)英(ying)(ying)坩堝全(quan)自動(dong)噴涂機;氫氧化鋇;石(shi)英(ying)(ying)砂;單晶石(shi)英(ying)(ying)坩堝燒。

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2013年1月(yue)16日(ri)-貫穿(chuan)于石(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)熔制、烘(hong)干、酸洗、涂鋇整個生產(chan)(chan)流程,提高(gao)了石(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)生產(chan)(chan)的這種(zhong)坩堝(guo)(guo)幾乎遭到淘(tao)汰;現代的坩堝(guo)(guo)通常是使用(yong)電(dian)弧法生產(chan)(chan)的半透明(ming)石(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo),。

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