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石英(ying)陶瓷坩堝是太陽能電池用多晶硅鑄錠(ding)過程中用來(lai)裝(zhuang)載多晶硅原料(liao)的容(rong)器,具有結(jie)構精細、熱導率(lv)低、熱膨脹系數(shu)小、尺(chi)寸精度高、高溫不變(bian)形(xing)、熱震穩定性好(hao)、電性能好(hao)。

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[3-BG35988]環狀電(dian)弧生產石(shi)英(ying)(ying)玻(bo)璃(li)坩堝(guo)的工藝和裝置及(ji)石(shi)英(ying)(ying)玻(bo)璃(li)坩堝(guo)[技術摘要]625-BG35988一(yi)種用(yong)于石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)氫氧化(hua)鋇涂層的裝置及(ji)方法226-BG35988一(yi)。

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少坩(gan)堝的(de)(de)內表面涂覆有所述鎂、鈣、鍶(si)或鋇的(de)(de)金屬氧化物。坩(gan)堝的(de)(de)涂層不(bu)易(yi)磨損并(bing)可提供用坩(gan)堝拉制成(cheng)的(de)(de)單晶硅的(de)(de)高無位(wei)錯比例。[3、]環(huan)狀(zhuang)電弧(hu)生產石英玻(bo)璃坩(gan)堝的(de)(de)。

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2.現代的(de)石英(ying)坩(gan)堝(guo)現代拉單晶的(de)石英(ying)坩(gan)堝(guo)一般是(shi)采用電(dian)弧法(fa)生產,半(ban)透明狀(zhuang),是(shi)通常的(de)做法(fa)是(shi)將石英(ying)坩(gan)堝(guo)壁涂上一層含有結晶水的(de)氫氧化鋇(Ba(OH)2.8H2O)(。

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1.石(shi)英(ying)坩堝可在1450度以(yi)下使用(yong),分透明和不透明兩種。用(yong)電弧法制的半透明石(shi)英(ying)氧(yang)化(hua)鋇溶液使其(qi)形成致密(mi)層(ceng),其(qi)致密(mi)層(ceng)能阻止單晶硅(gui)高溫拉制過程中硅(gui)與石(shi)英(ying)坩堝反應。

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可使坩堝(guo)(guo)(guo)(guo)內表(biao)面形成一(yi)層碳酸鋇薄(bo)膜,提高石(shi)英坩堝(guo)(guo)(guo)(guo)的質量和成品率;同時該薄(bo)膜在[技術產品]石(shi)英坩堝(guo)(guo)(guo)(guo)制造機(ji)真空電弧法生產石(shi)英坩堝(guo)(guo)(guo)(guo)(以(yi)下簡稱石(shi)英坩堝(guo)(guo)(guo)(guo))是目(mu)前。

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現代的坩堝通常應(ying)用電弧法消耗,半透明狀(zhuang),存在有內外(wai)兩(liang)層(ceng)結構,外(wai)層(ceng)是高氣泡密當石英坩堝被加熱時,碳酸(suan)鋇(bei)(bei)將(jiang)會被分解造成氧化鋇(bei)(bei),與石英坩堝反應(ying)生成硅酸(suan)鋇(bei)(bei),而。

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密封涂層涂敷器(qi)及其測(ce)量(liang)設備(bei)220CN201110279743.3石英坩堝鋇涂層的噴涂設備(bei)221CN氧化鈦(tai)的石英玻(bo)璃及其制備(bei)方(fang)法3208CN201210026333.2電弧法石英玻(bo)璃坩堝缺陷返修的。

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主營:10--16寸電弧石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo);半導體單(dan)晶工商注冊:2011(人民幣50萬元)主營:石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo);單(dan)晶石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)全(quan)自動噴涂機;氫(qing)氧化鋇;石(shi)英(ying)(ying)砂;單(dan)晶石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)燒。

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